SiC; super junction; oxide fixed charge; charge compensation; positive effect; negative effect; breakdown characteristic; electric field crowding;
机译:固定氧化物电荷和施主界面陷阱对带有FGR和JTE端接的SiC器件击穿电压的影响
机译:氧化物固定电荷对超结器件击穿电压的影响
机译:高端横向双扩散金属氧化物半导体器件的击穿特性
机译:氧化物固定电荷对SiC横向超接线装置的击穿特性的影响
机译:p-n结和复杂的金属氧化物半导体器件的静电特性的变化热力学建模和实验验证
机译:基于金属氧化物和氢氧化物的水性超级电容器:从电荷存储机制和功能电极工程到需要量身定制的设备
机译:具有充电不平衡的超结型电源设备的击穿电压:通过设备进行打孔和非打孔的分析模型有效