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【24h】

The Side Effects of Sidewall Polyoxide and Spacer Bottom Oxide on the Submicron High Dielectric Spacer Ldd Mosfet's

机译：侧壁多氧化物和间隔层底部氧化物对亚微米高介电间隔层Ldd Mosfet的副作用

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来源
《》|2001年|P.33-34|共2页
会议地点
作者
Jyh-Chyurn Guo; Lin; P.S.;
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正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
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