elemental semiconductors; silicon-on-insulator; vortices; MOSFET; inclusions; turbulence; electron density; quantum interference devices; semiconductor device models; quantum interference induced vortices; inclusion; turbulent flow; electron density; inelastic scattering; threshold voltage shifting; ultra small fully depleted SOI MOSFET; Si;
机译:完全耗尽的SOI MOSFET中由于SOI厚度变化引起的阈值电压波动的抑制
机译:由于SOI厚度变化在全耗尽的SOI MOSFET中引起的阈值电压波动的抑制
机译:可变阈值电压全耗尽SOI MOSFET的阈值电压控制范围
机译:抑制量子干扰引起的涡流和阈值电压移位由于超大型全耗尽的SOI MOSFET中的无弹性散射
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:基于声子散射机理的超薄体FD SOI MOSFET导热特性研究
机译:3MEV - 电子束诱导阈值电压偏移和漏极电流降解ZVN3320FTA&amp上的漏极电流降解; ZVP3310FTA商业MOSFET.
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响