机译:具有低阈值和压缩应变的MQW有源层的650 nm GaInP / AlGaInP激光二极管
机译:650 nm GaInP / AlGaInP量子阱垂直腔面发射二极管激光器的自洽模型
机译:具有不对称包覆层的5mm宽650nm AlGaInP–GaInP–AlGaAs激光棒在2000小时内可实现5W可靠运行
机译:用于650nm激光二极管的压缩应变GainP / Algainp金属包层结构
机译:开发用于可见光激光器和发光二极管的宽带隙II-VI材料。 A. ZnMgCdSe结构的双极掺杂和电致发光。 B.六角形ZnSe基结构
机译:金-姜黄素纳米结构在乳腺癌细胞系光热疗法中的应用:以650和808 nm二极管激光器为光源
机译:应变层GaInp / alGaInp激光二极管中的能级对准:压力 - 光致发光实验的模型固体理论分析
机译:具有GaInp包层和质量传输埋层异质结构的低阈值InGaas应变层量子阱激光器(λ= 0.98微米)