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高峰; 章燕申;
清华大学精密仪器系;
GaInP/AlGaInP; 脊形波导; 优化; 激光器器件; 结构;
机译:工作于650 nm的高效GaInP-AlGaInP脊形波导单模激光器
机译:680 nm GaInP / AlGaInP脊形波导单模激光器的记录量子效率(92%)操作
机译:低阈值GaInP / AlGaInP脊形波导激光器
机译:低阈值高量子效率670 nm GaInP / AlGaInP脊形波导激光器
机译:脊形波导中红外铟镓砷锑锑量子阱激光器,采用脉冲阳极氧化刻蚀制成。
机译:GaInP纳米线的X射线衍射结构研究
机译:具有GaInp包层和质量传输埋层异质结构的低阈值InGaas应变层量子阱激光器(λ= 0.98微米)
机译:在III-V型复合半导体和半导体激光器件的层状结构中制造脊形波导的方法,特别是针对低串联电阻的情况
机译:在III-V型复合半导体和半导体激光器件的层状结构中制造脊形波导的方法,特别是用于低串联电阻的情况
机译:基于AlGaInP的高输出红色半导体激光器器件
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