Dept. of Chemical Engineering, Stanford University, Stanford, CA 94305-5025;
机译:包含晶体和非晶硅纳米团簇的多层栅极电介质的TEM和光谱椭偏仪研究
机译:用于GaAs金属氧化物半导体场效应晶体管应用的InAlP本征氧化物介电层的可变角度光谱椭偏
机译:光谱椭偏法测定硅离子注入介电层的参数
机译:光谱椭圆形测定法研究了SICOH电介质的改性层
机译:椭圆偏振光谱法表征半导体层状结构。
机译:具有高表面粗糙度的薄膜:使用椭圆偏振光谱仪进行厚度和介电函数分析
机译:错误:“使用溅射沉积生长的无定形和结晶ZnSNO合金和Zn2SNO4薄膜的基于光谱椭圆形的基于光学性质的研究:介电函数和副膜状态”J。苹果。物理。 119,135302(2016)