Institute of Materials Science and Engineering Natonal Chiao Tung University 1001 Ta-Hsueh Road Hsinchu,Taiwan 300,ROC;
机译:使用感应耦合等离子体(ICP)的极紫外蚀刻(EUVL)的交替相移掩模(PSM)结构的高度选择性干法蚀刻
机译:交替孔径相移掩模尺寸测量的光电技术比较
机译:使用标准相位掩模技术以两倍于布拉格波长的波长制造u0001相移纤维布拉格光栅
机译:用于亚微米T型栅极形成的新型I线相移掩模(PSM)技术
机译:用于抑制亚微米和纳米相氧化铝复合材料致密化过程中晶粒长大的渗透技术。
机译:SiO2球形掩模的ICP刻蚀技术制备金刚石亚微米透镜和圆柱体
机译:基于新型干涉相移技术的亚微米光学光刻
机译:大口径相控阵自适应移相器去除技术