Physics Department, King's College London, Strand, London WC2R 2LS, UK;
ion implantation; photoluminescence; PAS; silicon;
机译:利用光致发光和正电子an没研究离子注入硅中的缺陷
机译:通过光致发光和正电子an灭识别离子注入硅中的空位和间隙固有缺陷
机译:中子辐照后FZ硅中的缺陷-正电子an没和光致发光研究
机译:用光致发光和正电子湮灭研究离子植入硅缺陷
机译:三维正电子an没动量测量技术用于测量6H碳化硅中的氧原子缺陷。
机译:掺有稀土元素Er3 +的碲化物玻璃70TeO2-5XO-10P2O5-10ZnO-5PbF2(X = MgBi2Ti)的正电子ni没寿命光谱法测量缺陷结构
机译:单能正电子束探测离子注入硅中的氢封端缺陷
机译:用于测量6H碳化硅中氧原子缺陷的三维正电子湮没动量测量技术