Department of Physics and Measurement Technology, Linkoping University, 5S183 Linkoping, Sweden;
dilute nitrides; defects; ODMR; non-radiative;
机译:稀氮化物III-N-As和III-N-P中的点缺陷
机译:用分子束外延生长基于覆盖稀氮化物层的太阳能电池的缺陷性能
机译:四结太阳能电池的稀氮化物半导体GaInNA中与N-H相关的深层缺陷
机译:稀氮化物III-N-AS和III-N-P中的点缺陷
机译:某些过渡金属氮化物的电子结构和磁性:锰掺杂的氮化scan,稀磁半导体和氮化铬,莫特绝缘子。
机译:使用自洽格林函数方法对稀氮化物合金的光吸收
机译:高功率脉冲磁控溅射和不平衡磁控溅射技术相结合产生的多层氮化铬/氮化铌涂层的缺陷生长