Faculty of Technical Sciences Novi Sad Serbia;
Faculty of Technology Novi Sad Serbia;
resistive switching device; memristors; synaptic response; thin film; nanodevices;
机译:Ag纳米粒子掺杂在NiFe_2O_4薄膜器件中单极和双极电阻转换行为的共存
机译:单个金属氧化物-金属电阻器件的突触行为
机译:通过n型掺杂控制溶液处理的基于HfOX的电阻式开关存储器件的电阻式开关行为
机译:锆掺杂薄膜金属氧化物 - 金属装置中的电阻切换和突触行为
机译:基于非晶绝缘体-金属薄膜的电阻开关器件。
机译:使用ZnO薄膜的电阻式开关存储器件的可靠性特性和导电机理
机译:用n型掺杂控制解决方案处理的基于HFOX的电阻切换存储器件的电阻切换行为