Dept. of Electron. Comput. Eng. Hong Kong Univ. of Sci. Technol. Hong Kong China;
AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT); On-chip light illumination; Optical pumping; Trap;
机译:使用片上肖特基异质结发光二极管对AlGaN / GaN-on-Si HEMT中的深陷阱进行光泵浦
机译:AlGaN / GaN-on-Si功率HEMT平台上片上光子源的开关行为
机译:采用部分凹陷和氟化陷阱电荷栅结构的无金,常态关闭的AlGaN / GaN-on-Si MIS-HEMT
机译:Algan / Gan-On-Si功率Hemts中深陷阱的片上光学泵浦
机译:用于高频应用的氮化铝镓/氮化镓HEMT中的陷获效应:使用大信号网络分析仪和深层光谱学进行建模和表征。
机译:二维电子气上的供体样表面陷阱以及AlGaN / GaN HEMT的电流崩塌
机译:闸门脉冲诱导界面陷阱行为的研究及其与AlGan / Gan-on-Si Mis-Hemts中阈值电压不稳定性的关系