Univ. Grenoble Alpes Grenoble France;
AlGaN/GaN HeMT; Ron; epitaxy; fluorine; power transistors;
机译:AlN钝化对高压AlGaN / GaN-on-Si HEMT中动态导通电阻和电场分布的影响
机译:具有低导通电阻和最小阈值滞后的12.5 A / 350 V AlGaN / GaN-on-Si MOS-HEMT
机译:用于电源应用的具有电压放大功能的铁电栅堆叠AlGaN / Si-GaN MOS-HEMT的实验演示
机译:外延和栅极沉积过程对AlGaN / Gan-On-Si-Si Hemt ron抗性的影响
机译:机械应力对AlGaN / GaN HEMT性能的影响:沟道电阻和栅极电流。
机译:薄Algan屏障PT-AlGaN / GaN HEMT气体传感器的响应增强在高温下源连接栅极配置
机译:小型和大型C掺杂AlGaN / Sion GaN HEMT中的动态罗恩
机译:开发基于物理的alGaN / GaN HEmT有限元模型,该模型能够适应工艺和外延变化并使用多个DC参数进行校准(后印刷)