Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.;
VCSEL; proton implant; ITO; kink; kink improvement; high-speed operation; uniform carrier distribution;
机译:铟锡氧化物表面透明外涂层改善GaAs VCSEL的扭结特性
机译:利用通道离子注入改善0.98- / splμm/ m GaInAs-GaInP大功率激光器的扭结和光束转向特性
机译:注入铟的NMOS电容器C-V特性中的扭结效应的理论分析
机译:用ITO覆盖改善质子植入vcsel的扭结特性
机译:在人工耳蜗植入儿童的皮质听觉诱发电位中对P1波特征进行评分的计算机算法。
机译:使用植入的混合式VCSEL / CMOS生物传感器在自由移动的对象中进行实时连续的荧光感测
机译:基于质子注入的大功率同相相干耦合VCSEL阵列
机译:各国监测和改进措施的特点:国家对“残疾人教育法”下各国监测和改进实践评估的B部分和C部分邮件调查的回应