SHARP Laboratories of America, LCD Process Technologies Camas, Washington, 98607 USA;
sequential lateral solidification; thin film transistors;
机译:使用$ hbox {SiO} _ {2} $覆盖层制作的位置控制晶粒内的单晶硅TFT和电路
机译:薄膜加热器用于薄膜晶体管(TFT)应用的玻璃上非晶硅的固相结晶
机译:准分子激光结晶在带氮化层的嵌入式沟道硅带上进行位置控制的单晶硅薄膜晶体管
机译:用于TFT电路应用的Si薄膜的位置控制结晶
机译:用于大面积柔性电子应用的多晶硅TFT器件,电路和系统的设计和表征。
机译:高性能和低功耗单片三维3μm以下50微米多晶硅薄膜晶体管(TFT)电路
机译:金属诱导的横向结晶硅膜改善连续波激光结晶TFT的均匀性和电性能
机译:硅薄膜准分子激光晶化:用于薄膜晶体管应用的晶界限位和单晶岛材料的人工控制超横向生长