SHARP Labs. Of America, LCD Process Technology Laboratory, 5700 NW Pacific Rim Blvd., Camas, WA 68607;
HD-PECVD; gate insulator; SiO_2; electrical properties; TFT;
机译:用于有机薄膜晶体管的低温可处理的固有光敏性聚酰亚胺栅极电介质:合成,表征和在晶体管中的应用
机译:以空心阴极CVD SiO_2为栅绝缘体的低温处理(<100℃)有机薄膜晶体管
机译:用于CMOS应用的解决方案处理的HFGDO栅极介电薄膜:退火温度的影响
机译:HD-PECVD技术对栅极电介质应用的高温处理SiO_2薄膜
机译:用于替代栅极电介质应用的超薄硅酸ha薄膜的工艺开发,材料分析和电学表征。
机译:用于高性能有机薄膜晶体管的低温固溶处理栅极电介质
机译:用于高性能有机薄膜晶体管的低温溶液处理栅极电介质