Semiconductor Research Laboratory, Toppan Printing Co, LTD. (Japan);
chemically amplified resist; negative-tone; chemical characteristics; mask;
机译:通过区域控制的曝光后烘烤来改善负性化学放大抗蚀剂的掩模制造的全局临界尺寸均匀性
机译:通过区域控制的曝光后烘烤来改善负性化学放大抗蚀剂的掩模制造的全局临界尺寸均匀性
机译:用于高分辨率混合光刻的负性化学放大抗蚀剂显影
机译:用于高级面罩制造的负性化学放大抗蚀剂的化学特性(II)
机译:用于下一代光刻的新型化学放大抗蚀剂的开发和高级表征
机译:通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
机译:化学放大抗蚀剂PSR在先进掩模制作中的应用。