Nitride Semiconductor Research Laboratory, Nichia Corporation 491 Oka, Kaminaka, Anan, Tokushima 774-8601, Japan;
InGaN; quantum well; LED; efficiency; white;
机译:高性能基于GaN的发光二极管的蓝宝石衬底处理:蓝宝石衬底的微图案化及其对基于GaN的发光二极管中光增强的影响
机译:GaN基发光二极管的激光直接写入-用于台面定义的合适激光源
机译:Y_3AL_5O_(12)上的基于GAN的基于GAN的发光二极管膜:CE〜(3+)水晶磷板,用于有效的白色发光
机译:基于GaN的发光二极管适用于白光
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:通过在p-GaN表面图案化光子准晶体和n侧侧壁粗糙化来增强GaN基发光二极管的光输出功率
机译:质子辐照GaN基大功率白光二极管建模