Tokyo Electron Kyushu Ltd. 2655 Tsukure, Kikuyo-machi, Kikuchi-gun, Kumamoto-ken 869-1197, Japan;
193nm; CD (critical dimension) control; PEB (post exposure bake);
机译:使用电阻回流工艺的32 nm节点随机接触孔阵列的临界尺寸控制
机译:45nm,65nm,90nm技术中SRAM单元的比较分析
机译:用于大规模集成应用的节距(90纳米技术节点)高电子迁移率晶体管中的低尺寸效应的仿真研究
机译:掩模相位和透射率变化对65nm和45nm节点的晶圆关键尺寸的影响
机译:确定影响业务和信息技术协调流程的关键维度:某大学的案例研究
机译:90 nm n-GaAs薄膜中的尺寸交叉和弱局部化
机译:流水线纳米高速缓存的能量/功率分解(90nm / 65nm / 45nm / 32nm)