IMEC® industrial assignee from Entegris GmbH, Hugo-Junkers-Ring 5, Gebaeude 107/W, 01109 Dresden, Germany;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Dainippon Screen Deutschland GmbH, Mundelheimer Weg 39, 40472 Dusseldorf, Germany;
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Entegris, Inc., 129 Concord Road, Building 2, Billerica, MA 01821 USA;
Entegris, Inc., 129 Concord Road, Building 2, Billerica, MA 01821 USA;
NTD; ArF-i; EUV; Point-of-use (POU); PTFE; UPE;
机译:基于多酚衍生物的新型负性分子抗蚀剂用于极端紫外光刻
机译:氢倍半硅氧烷作为用于极端紫外光刻的高分辨率负型抗蚀剂
机译:激光等离子源,用于极紫外(EUV)光刻激光等离子源,用于极紫外(EUV)光刻
机译:用于延伸浸没和极端紫外(EUV)光刻中的负旋气显影剂的使用点过滤策略
机译:适用于光刻应用的极紫外(EUV)全息计量学。
机译:使用极端紫外(EUV)辐射和EUV诱导的氮等离子体的聚醚醚酮(PEEK)的物理化学表面改性
机译:对于极端紫外线光刻的负色调化学放大的分子抗蚀剂平台朝向11nm半间距分辨率
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。