TOKYO ELECTRON LTD 650 Mitsuzawa, Hosaka-machi, Nirasaki city, Yamanashi, Japan;
TOKYO ELECTRON LTD 650 Mitsuzawa, Hosaka-machi, Nirasaki city, Yamanashi, Japan;
TOKYO ELECTRON LTD 650 Mitsuzawa, Hosaka-machi, Nirasaki city, Yamanashi, Japan;
TOKYO ELECTRON LTD 650 Mitsuzawa, Hosaka-machi, Nirasaki city, Yamanashi, Japan;
TOKYO ELECTRON LTD 650 Mitsuzawa, Hosaka-machi, Nirasaki city, Yamanashi, Japan;
TOKYO ELECTRON LTD 650 Mitsuzawa, Hosaka-machi, Nirasaki city, Yamanashi, Japan;
TOKYO ELECTRON LTD 650 Mitsuzawa, Hosaka-machi, Nirasaki city, Yamanashi, Japan;
TOKYO ELECTRON LTD 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan;
Self-aligned multiple patterning; Fin FET; SRAM; 7nm node;
机译:用于子7NM节点的门 - 全围绕垂直堆叠纳米型FET的设计研究
机译:三星突破了7nm LPP节点技术的壁垒
机译:7NM技术节点在源/漏应力源中的基于栅极鳍片的应力诱导的变异性研究
机译:与7nm节点的间隔相关图案的可持续性和适用性
机译:基于较低技术节点(7nm)的不同FINFET的静态随机存取存储器设计
机译:当前文献对可持续饮食的启示:将饮食模式环境可持续性和经济学联系起来的新兴研究
机译:最先进的EUV材料和7nm节点及超越的过程