Graduate School, Ibaraki University 4-12-1 Nakanarusawa, Hitachi 316-8511, Japan;
Department of Systems Engineering, Faculty of Engineering, Ibaraki University 4-12-1 Nakanarusawa, Hitachi 316-8511, Japan;
Department of Systems Engineering, Faculty of Engineering, Ibaraki University 4-12-1 Nakanarusawa, Hitachi 316-8511, Japan;
Department of Systems Engineering, Faculty of Engineering, Ibaraki University 4-12-1 Nakanarusawa, Hitachi 316-8511, Japan;
Department of Systems Engineering, Faculty of Engineering, Ibaraki University 4-12-1 Nakanarusawa, Hitachi 316-8511, Japan;
scanning probe microscope; local anodic oxidation; si wafer; protrusion pattern; contact width; distance between terminals; voltage;
机译:通过局部阳极氧化产生纳米结构的基础研究
机译:使用原子力显微镜局部阳极氧化对表面氧化物纳米结构进行图案化
机译:局部阳极氧化纳米光刻技术制备的氧化物纳米结构的解吸动力学
机译:通过局部阳极氧化产生纳米结构的根本研究
机译:通过用于生物传感器,药物输送和超级电容器应用的阳极氧化工艺来制造金属/氧化物纳米结构。
机译:Ti15Mo合金的电化学氧化 - 阳极氧化参数对纳米结构氧化物层表面形态的影响
机译:分层氧化物纳米结构的润湿行为:阳极氧化氧化修饰的ZnO纳米结构的TiO2纳米管