Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Forschungszentrum Dresden-Rossendorf, D-01213 Dresden, Germany;
机译:在植入高剂量氢离子的绝缘体上硅膜中,通过毫秒脉冲热退火引起的结晶
机译:使用超导肖特基结探测退化的绝缘体上硅膜中的电子-声子耦合
机译:以毫秒精度的时间处理不稳定是自闭症谱系障碍中感觉电流损伤的主要特征:使用同步的手指攻丝任务分析
机译:SI&GE毫秒处理的进步:从绝缘体上的超导GE
机译:超薄氧注入绝缘体上硅材料的微观结构和加工条件的相关性。
机译:超导跨量子比特中的毫秒电荷奇偶性波动和诱导的退相干
机译:注入氧的超薄绝缘体上硅材料的微观结构与加工条件的相关性
机译:ag鞘(Bi,pb)(sub 2)sr(sub 2)Ca(sub 2)Cu(sub211 3)O(sub x)超导体的加工研究进展