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Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09
Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09
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1.
Very high magnification optical characterization of global and local distortion of Si wafers after laser spike annealing
机译:
激光尖峰退火后硅晶片整体和局部畸变的高倍放大光学特性
作者:
Yoo Woo Sik
;
Ueda Takeshi
;
Ishigaki Toshikazu
;
Kang Kitaek
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
2.
Homogeneity check of ion implantation in silicon by wide-angle ellipsometry
机译:
广角椭偏法检查硅中离子注入的均质性
作者:
Fried M.
;
Juhasz G.
;
Major C.
;
Petrik P.
;
Battistig G.
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
3.
Formation of Si-based light-emitting structures by ion implantation and pulsed treatments
机译:
通过离子注入和脉冲处理形成硅基发光结构
作者:
Bayazitov R.M.
;
Batalov R.I.
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
4.
Accurate micro Hall Effect measurements on scribe line pads
机译:
划线板上的精确微霍尔效应测量
作者:
Osterberg F. W.
;
Petersen D.H.
;
Wang F.
;
Rosseel E.
;
Vandervorst W.
;
Hansen O.
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
5.
Study of sub-melt laser damage annealing using Therma-Probe
机译:
使用Therma-Probe研究亚熔体激光损伤退火
作者:
Rosseel Erik
;
Bogdanowicz Janusz
;
Clarysse Trudo
;
Vandervorst Wilfried
;
Salnik Alex
;
Han Sang-Hyun
;
Nicolaides Lena
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
6.
Heating and photoionization of silicon structures at laser treatments
机译:
激光处理时硅结构的加热和光电离
作者:
Bayazitov R.M.
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
7.
Experimental and theoretical analysis of dopant activation in double implanted silicon by pulsed laser thermal annealing
机译:
脉冲激光热退火双注入硅中掺杂物活化的实验和理论分析
作者:
Huet K.
;
Boniface C.
;
Fisicaro G.
;
Desse F.
;
Variam N.
;
Erokhin Y.
;
Magna A. La
;
Privitera V.
;
Schuhmacher M.
;
Besaucele H.
;
Venturing J.
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
8.
Millisecond annealing of high-performance SiGe HBTs
机译:
高性能SiGe HBT的毫秒级退火
作者:
Bolze D.
;
Heinemann B.
;
Gelpey J.
;
McCoy S.
;
Lerch W.
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
9.
Damage evolution in implanted silicon by pulsed excimer laser annealing
机译:
脉冲受激准分子激光退火在植入硅中的损伤演化
作者:
Fisicaro G.
;
Magna A. La
;
Piccitto G.
;
Privitera V.
;
Huet K.
;
Venturini J.
;
Besaucele H.
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
10.
The effect of die-level stress variations on device performance
机译:
芯片级应力变化对器件性能的影响
作者:
Owen David M.
;
Otten Christian
;
Bu Haowen
;
Wang Yun
;
Shetty Shrinivas
;
Hebb Jeff
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
11.
Microwave permittivity of As and B implanted and annealed silicon
机译:
注入和退火的硅中砷和硼的微波介电常数
作者:
Lojek B.
;
Song H.
;
Mulcahy T.
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
12.
Application and advantages of larger Boron cluster ions for 22nm and beyond technology nodes
机译:
更大的硼团簇离子在22nm及更高技术节点上的应用和优势
作者:
Sekar Karuppanan
;
Krull Wade
;
Chan Jason
;
McCoy Steve
;
Gelpey Jeff
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
13.
22nm node p+ junction scaling using B
36
H
44
and laser annealing with or W/O PAI
机译:
使用B
36 inf> H
44 inf>进行22nm节点p +结缩放,并通过W / O PAI进行激光退火
作者:
Borland John
;
Tanjyo Masayasu
;
Hamamoto Nariaki
;
Nagayama Tsutomu
;
Muthukrishnan Shankar
;
Zelenko Jeremy
;
Mirshad Iad
;
Johnson Walt
;
Buyuklimanli Temel
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
14.
Microwave based technique for ultra-fast and ultra-high temperature thermal processing of compound semiconductors and nano-scale Si semiconductors
机译:
基于微波的化合物半导体和纳米级硅半导体的超快和超高温热处理技术
作者:
Tian Yong-Lai
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
15.
Application of laser annealing in the EU FP6 project D-DotFET
机译:
激光退火在欧盟FP6项目D-DotFET中的应用
作者:
Nanver L. K.
;
Jovanovic V.
;
Biasotto C.
;
van der Cingel J.
;
Milosavljevic S.
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
16.
Boron and Phosphorus dopant activation in Germanium using laser annealing with and without preamorphization implant
机译:
使用和不使用预非晶化注入的激光退火激活锗中的硼和磷掺杂剂
作者:
Mazzocchi V.
;
Sabatier C.
;
Py M.
;
Huet K.
;
Boniface C.
;
Barnes J-P.
;
Hutin L.
;
Delayer V.
;
Morel D.
;
Vinet M.
;
Le Royer C.
;
Venturini J.
;
Yckache K.
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
17.
Monitoring of local and global temperature non-uniformities by means of Therma-Probe and Micro Four-Point Probe metrology
机译:
通过Therma-Probe和Micro四点探针计量技术监测局部和全局温度不均匀性
作者:
Rosseel Erik
;
Petersen Dirch H.
;
Osterberg Frederik W.
;
Hansen Ole
;
Bogdanowicz Janusz
;
Clarysse Trudo
;
Vandervorst Wilfried
;
Ortolland Claude
;
Hoffmann Thomas
;
Chan Philip
;
Salnik Alex
;
Nicolaides Lena
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
18.
Impact of pattern and LSA stitching effects and processing parameters on reflectance and stress distribution for thermal annealing technologies
机译:
图案和LSA拼接效果以及加工参数对热退火技术的反射率和应力分布的影响
作者:
Mileham Jeffrey
;
Willis James
;
Owen David M.
;
Shetty Shrinivas
;
Hebb Jeff
;
Wang Yun
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
19.
22nm node n+ SiC stressor using deep PAI+C
7
H
7
+P
4
with laser annealing
机译:
使用深PAI + C
7 inf> H
7 inf> + P
4 inf>进行激光退火的22nm节点n + SiC应力源
作者:
Borland John
;
Tanjyo Masayasu
;
Hamamoto Nariaki
;
Nagayama Tsutomu
;
Muthukrishnan Shankar
;
Zelenko Jeremy
;
Mirshad Iad
;
Johnson Walt
;
Buyuklimanli Temel
;
Itokawa Hiroshi
;
Mizushima Ichiro
;
Suguro Kyoichi
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
20.
Formation of thin Ni
2
Si and NiSi films using low temperature rapid thermal processing
机译:
利用低温快速热处理形成Ni
2 inf> Si和NiSi薄膜
作者:
Li J.P.
;
Hunter Aaron
;
Ramanujam Rajesh
;
Liu Michael
;
Tam Norman
;
Tertitski Leonid
;
Tran Eric
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
21.
Advances on 32nm NiPt Salicide process
机译:
32nm NiPt硅化物工艺的研究进展
作者:
Chen Yi-Wei
;
Ho Nien-Ting
;
Lai Jerander
;
Tsai T.C.
;
Huang C.C.
;
Wu J.Y.
;
Ng Ben
;
Mayur A. J.
;
Tang Alex
;
Muthukrishnan Shankar
;
Zelenko Jeremy
;
Yang Helen
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
22.
Non-contact, non-destructive characterization of Ge content and SiGe layer thickness using multi-wavelength Raman spectroscopy
机译:
使用多波长拉曼光谱对Ge含量和SiGe层厚度进行非接触,无损表征
作者:
Yoo Woo Sik
;
Ueda Takeshi
;
Ishigaki Toshikazu
;
Kang Kitaek
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
23.
Issues in modeling, supervision, and fault detection for automated RTP systems
机译:
自动化RTP系统的建模,监督和故障检测中的问题
作者:
Awad Hamdi A.
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
关键词:
Discrete Event Systems;
Fault detection and Isolation;
Petri nets;
RTP;
24.
Variable frequency microwave induced low temperature dopant activation in ion implanted silicon
机译:
离子注入硅中的可变频率微波诱导的低温掺杂剂活化
作者:
Alford T.L.
;
Ahmad Iftikhar
;
Hubbard Robert
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
25.
Backside-activation technique of power device IGBTs by a microsecond-pulsed green laser
机译:
微秒脉冲绿色激光对功率器件IGBT的背面激活技术
作者:
Arai Yuko
;
Milsuda Takahiko
;
Kudo Toshio
;
Sano Kazuya
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
26.
Accuracy of micro four-point probe measurements on inhomogeneous samples: A probe spacing dependence study
机译:
非均质样品上微四点探针测量的准确性:探针间距依赖性研究
作者:
Wang Fei
;
Petersen Dirch H.
;
Osterberg Frederik W.
;
Hansen Ole
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
27.
Advances in Si u00026; Ge millisecond processing: From silicon-on-insulator to superconducting Ge
机译:
Si的进展; Ge毫秒处理:从绝缘体上硅到超导Ge
作者:
Skorupa W.
;
Heera V.
;
Herrmannsdorfer T.
;
Posselt M.
;
Buca D.
;
Minamisawa R.A.
;
Mantl S.
;
Anwand W.
;
Gebel Th.
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
28.
Diffusion and activation of Boron and Phosphorus in preamorphized and crystalline Germanium using ultra fast spike anneal
机译:
超快速尖峰退火在预非晶态和结晶态锗中硼和磷的扩散和活化
作者:
Mazzocchi V.
;
Pages X.
;
Py M.
;
Barnes J P
;
Vanormelingen K.
;
Hutin L.
;
Truche R.
;
Vermont P.
;
Vinet M.
;
Le Royer C.
;
Yckache K.
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
29.
Improvement of pattern effect by optical-absorption carbon film and flexibly-shaped-pulse flash lamp annealing
机译:
通过光吸收碳膜和柔性形状的脉冲闪光灯退火来改善图案效果
作者:
Kato Shinichi
;
Aoyama Takayuki
;
Onizawa Takashi
;
Ikeda Kazuto
;
Ohji Yuzuru
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
30.
Activation of ion implanted Si for backside processing by ultra-fast laser thermal annealing: Energy homogeneity and micro-scale sheet resistance
机译:
通过超快激光热退火激活离子注入的硅,用于背面处理:能量均匀性和微米级薄层电阻
作者:
Huet K.
;
Lin R.
;
Boniface C.
;
Desse F.
;
Petersen D. H.
;
Hansen O.
;
Variam N.
;
Magna A. La
;
Schuhmacher M.
;
Jensen A.
;
Nielsen P.F.
;
Besaucele H.
;
Venturing J.
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
31.
Time evolution of phosphorus dose loss due to interface segregation
机译:
界面偏析导致磷剂量损失的时间演变
作者:
Chang Ruey-Dar
;
Tsai Jung-Ruey
;
Ma Chia-Chi
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
32.
Copyright page
机译:
版权页
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
33.
RTP conference achievement awards
机译:
RTP会议成就奖
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
34.
Expanded application space for laser spike annealing of CMOS devices
机译:
扩展了CMOS器件的激光尖峰退火的应用空间
作者:
Hebb Jeff
;
Wang Yun
;
Chen Shaoyin
;
Shen Michael
;
Zhou Senquan
;
Wang Xiaoru
;
Owen David
会议名称:
《Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2009. RTP '09》
|
2009年
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