重粒子線がh治療場での線量評価を目的としたSiC半導体検出器の開発

摘要

マルチイオン照射または量子メス技術を含む荷電粒子放射線がh治療法が進歩するにつれて、広範囲の線エネルギー付与（LET）をカバーでき、かつ空間的に限られた領域ごとの線量を評価する手法の開発は喫緊の課題となってきている。高いエネルギー分解能を備えるSi半導体検出器を用いた粒子線場向け検出器に関する研究開発が進hでいる。しかしながら、その放射線耐性は限られており、低エネルギー領域の炭素や陽子に対する人体等価性に非線形性が生じる点が問題である。より放射線耐性の高いワイドバンドギャップ半導体を基板とした検出器・計測体系が実現できれば、本課題を克服した線量評価が可能となる。