首页> 外文会议>2019年第66回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 >電磁界シミュレーションを用いたスロットアンテナ励起によるマイクロ波プラズマの均一生成法の検討
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電磁界シミュレーションを用いたスロットアンテナ励起によるマイクロ波プラズマの均一生成法の検討

机译:缝隙天线激发电磁场模拟研究微波等离子体均匀生成方法

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摘要

半導体デバイス製造におけるレジスト除去は,微細パターン作製のためのフォトリソグラフィーにおいて,必ず用いられる重要な工程の1つである。レジスト除去には薬液処理法及び酸素プラズマアッシング処理法が主流であるが,それぞれの手法には環境負荷が大きい事や高温加熱によるダメージが生じる等の課題がある。課題を解決するため,マイクロ波励起の水プラズマアッシング法の研究開発を進めている。本手法は,基板温度が室温程度の条件において,フォトレジストOFPR5000(東京応化工業)の除去速度が1m/min以上と速く, イオン注入されたレジスト膜も高速除去できることが特長である 。マイクロ波プラズマは細長いスロットアンテナに沿って,楕円形状で生成される。楕円形のプラズマ形状は,ウェハ面内のアッシングレートの不均一性をもたらし,レジスト除去後のプラズマ照射によるダメージが懸念される。そこで,3 次元電磁界シミュレーションを用い,均一性を向上するために有効となるスロットアンテナ形状を検討したので報告する。
机译:半导体器件制造中的抗蚀剂去除是光刻工艺中始终用于产生精细图案的重要步骤之一。化学溶液处理方法和氧等离子体灰化处理方法是去除抗蚀剂的主流,但是每种方法都具有诸如大的环境负荷和由于高温加热引起的损坏之类的问题。为了解决该问题,我们正在进行微波激发水等离子体灰化方法的研究和开发。该方法的特征在于,在基板温度为室温左右的条件下,可以以1μm/ min以上的高速除去光致抗蚀剂OFPR5000(Tokyo Ohka Kogyo),并且可以离子注入抗蚀剂膜。高速移除。微波等离子体沿着细长的缝隙天线以椭圆形产生。椭圆形的等离子体形状导致晶片表面中的灰化速率的不均匀,并且担心由于抗蚀剂去除之后的等离子体辐射导致的损坏。因此,我们报告了通过使用三维电磁场模拟有效改善均匀性的缝隙天线形状。

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