Realization of High-Efficiency 10 GHz Bandwidth Silicon Photodetector Arrays for Fully Integrated Optical Data Communication Interfaces

机译：用于完全集成的光学数据通信接口的高效10 GHz带宽硅光电探测器阵列的实现

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We present a commercially reproducible fabrication technique for producing high quantum efficiency photo-diodes with up to 10 GHz bandwidth on double silicon-on-insulator (SOI) wafers. The substrate consists of a two-period distributed Bragg reflector (DBR), which provides a 90% reflecting surface. Resonant-cavity-enhanced (RCE) Si photodetectors with 40% quantum efficiency at 860 nm and a FWHM of 29 ps suitable for 10 Gbps data communications are demonstrated. We also demonstrate integrated photodiode arrays in silicon substrate for multi-channel high speed serial interfaces.

机译：我们提出了一种可商业复制的制造技术，用于在绝缘体上双硅（SOI）晶片上生产带宽高达10 GHz的高量子效率光电二极管。基板由两周期分布式布拉格反射器（DBR）组成，该反射器提供90％的反射表面。展示了谐振腔增强（RCE）Si光电探测器，该探测器在860 nm处具有40％的量子效率，并且适用于10 Gbps数据通信的FWHM为29 ps。我们还演示了用于多通道高速串行接口的硅基板中的集成光电二极管阵列。

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来源
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》|2003年|p.47-50|共4页
会议地点 Estoril(PT);Estoril(PT);Estoril(PT);Estoril(PT)
作者
M.K. Emsley; O. Dosunmu; M.S. Uenlue; P. Muller; Y. Leblebici;
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作者单位

Boston University Photonics Center Dept. of Electrical and Computer Engineering Boston, Massachusetts, U.S.A.;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词

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