Institute of NanoEngineering and MicroSystems, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan;
Institute of NanoEngineering and MicroSystems, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan;
Institute of NanoEngineering and MicroSystems, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan;
Electrodes; Optical resonators; Sensors; Resonant frequency; Aluminum nitride; Micromechanical devices; Phase measurement;
机译:薄膜压电对硅谐振器的框架结构大大提高了质量因子,抑制了杂散模式
机译:薄膜硅弯曲谐振器在线性和非线性运动状态下的电气特性,可与电子器件集成
机译:在电信波长的氢化非晶硅薄膜中增强了环谐振器的光致发光
机译:硅弯曲模式环谐振器上的一个全差分薄膜压电,具有卓越的品质因数
机译:由单晶和多晶3C碳化硅薄膜制成的基于MEMS的弯曲模式横向谐振器的能量耗散
机译:Q-系数提高薄膜压电对硅MEMS谐振器通过呼吸晶体反射器复合结构
机译:在硅上的薄膜金属开口环谐振器阵列形成的超材料的红外波长表征