Department of Microelectronics Science and Engineering, Fuzhou University, Fuzhou, Fujian, 350116, China;
Department of Microelectronics Science and Engineering, Fuzhou University, Fuzhou, Fujian, 350116, China;
MOSFET; Threshold voltage; Simulation; Resistors; Power demand;
机译:A 167.18 PPM /°C温度系数,仅使用MOS晶体管的区域有效电压参考
机译:具有虚拟二极管连接的MOS晶体管的高PSRR带隙基准电压源
机译:适用于超低功耗系统的0.12–0.4 V通用3晶体管CMOS电压基准
机译:使用MOS晶体管100NW 6PPM /°C电压参考
机译:基于阈值电压差架构的CMOS技术的低于1V的电源参考电压。
机译:低压操作2D MOS2具有HF1-XZRXO2栅极结构的铁电存储器晶体管
机译:A 167.18 PPM /°C温度系数,仅使用MOS晶体管的区域有效电压参考