Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada VIII, n.5 Zona Industriale, 95121 Catania, Italy;
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Logic gates; MOSFET; Tunneling; Current measurement; Temperature dependence; Temperature measurement; Analytical models;
机译:温度和时间相关的栅极电流测量研究了通过SiO_2 / 4H-SiC阻挡层的异常Fowler-Nordheim隧穿
机译:SiO2 / 4H-SiC MOS电容器中的温度依赖的禽流夹 - Nordheim电子屏障高度
机译:SiO_2 / 4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管中的近界面陷阱受温度相关的栅极电流瞬变测量监控
机译:通过温度和时间依赖性栅极电流测量研究的SiO2 / 4H-SiC屏障的异常禽隧道隧穿
机译:高K栅极电介质堆叠的电压和温度相关的栅极电容和电流模型
机译:大势垒单分子磁体中磁化强度的场和温度依赖性量子隧穿
机译:温度依赖的芝麻时间为两级原子隧道穿过 在弱测量框架下的热磁屏障