Institut für Festkörperphysik, Leibniz Universität Hannover, Germany;
Institut für Festkörperphysik, Leibniz Universität Hannover, Germany;
Institut für Festkörperphysik, Leibniz Universität Hannover, Germany;
Institut für Festkörperphysik, Leibniz Universität Hannover, Germany;
Institut für Festkörperphysik, Leibniz Universität Hannover, Germany;
Institut für Festkörperphysik, Leibniz Universität Hannover, Germany;
Gallium arsenide; Substrates; Probes; Electrical resistance measurement; Surface resistance; Epitaxial growth;
机译:GaAs / Algaas单量子孔/纳米线异质结构中的电荷分布和电性能的研究
机译:GaAs / AIGaAs核壳纳米线中的准一维传输
机译:锡酸锌纳米线的新型自催化途径以及单纳米线的阴极发光和电传输性质
机译:表面介导的单个GaAs纳米线的电气传输
机译:GaAsSb纳米线的生长速率,电学和光学性质建模
机译:线槽纳米腔增强InGaAs / GaAs量子点/纳米线异质结构的单光子发射速率
机译:单Gaas / alGaas核 - 壳中的准一维传输 纳米线
机译:Gaas / InGaas / Gaas单应变量子阱结构中的空穴传输和电荷转移