IBM Research GmbH Zurich Laboratory, Satimerstrasse 4, CH-8803 Ruschlikon, Switzerland;
机译:用于大规模集成Si CMOS的大规模Si晶片上高质量InGaAs HEMT层的MOCVD生长
机译:通过直接氧化物粘接和通孔 - 最后3-D互连通过直接氧化物粘接和通过最后3-D互连的非均相集成
机译:外延层对CMOS图像传感器的外延层对碳簇离子植入硅晶片的室温键合
机译:III / V层生长Si和Ge表面,用于直接晶圆键合作为杂交CMOS的路径
机译:III-V化合物半导体通过锗缓冲剂和CMOS技术的表面钝化在硅上生长。
机译:金膜厚度和表面粗糙度对室温晶圆键合和金-金表面活化键合的晶圆级真空密封的影响
机译:使用紫外-硫工艺进行低温III–V直接晶圆键合表面处理