A reliable 40 GHz opto-electrical system for characterization of frequency response of Ge PIN photo detectors

机译：可靠的40 GHz光电系统，用于表征Ge PIN光电探测器的频率响应

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A reliable measurement setup was built with VNA principle and properly calibrated for opto-electrical characterization of the in-house fabricated Ge PIN PDs. At a bias of − 1 V the 3-dB BW above 40 GHz for device radius of 5 µm was observed in the wavelength of 1550 nm. The good agreement of the 3-dB BWs between VNA and HET proves the reliability of the investigated measurement setup. The setup was recently employed to characterize novel GeSnPDs [6].

机译：利用VNA原理构建了可靠的测量设置，并对其进行了适当的校准，以对内部制造的Ge PIN PD进行光电表征。在− 1 V的偏压下，在1550 nm的波长下，对于5 µm的设备半径，在40 GHz以上的3 dB BW被观察到。 VNA和HET之间3 dB BW的良好一致性证明了所研究的测量设置的可靠性。该装置最近用于表征新型GeSnPD [6]。

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来源
《2014 7th International Silicon‐Germanium Technology and Device Meeting》|2014年|117-118|共2页
会议地点 Singapore(SG)
作者
Zhang Wogong; Ye Kaiheng; Bechler Stefan; Ulbricht Kai; Oehme Micheal; Kasper Erich; Schulze Jorg;
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作者单位

Institute for Semiconductor Engineering (IHT), University of Stuttgart, Pfaffenwaldring 47, D-70569, Germany;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
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