Laboratory for Micro- and Nanotechnology, Paul Scherrer Institut, CH-5232 Villigen, Switzerland;
机译:具有直接Ge带隙的Ⅰ型Ge / Ge_(1-x-y)Si_xSn_y应变层异质结构
机译:带隙重归一化的应变层量子阱激光器理论
机译:在非平面衬底上生长的高功率应变层InGaAs-AlGaAs激光器中的铟迁移和可控的横向带隙变化
机译:应变的GE Microbridges获得直接的带隙激光器
机译:使用脉冲激光技术形成低电阻线间连接的微桥。
机译:拉伸应变纳米膜中的直接带隙发光锗
机译:应变声子中的声子软化和直接间接带隙交叉 单层mose2
机译:具有间接带隙势垒的量子点激光器的温度特性改善