Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8603, Japan;
机译:晶体结构对NiGe / Ge接触的热稳定性和肖特基势垒高度的影响
机译:界面结构对NiGe / Ge触点电性能的影响
机译:热处理对硼离子注入产生的金刚石欧姆接触的晶体重构和电性能的影响
机译:晶体结构对Nige / GE接触电性能的影响
机译:理解金属/半导体肖特基接触的电性能:块体和纳米级结构中势垒不均匀性和几何形状的影响。
机译:单晶氮化硼纳米片的晶体结构和电性能的变化
机译:P和硫属元素(S,Se或Te)共掺杂改性的Ge晶体的电学性质和NiGe / Ge结的有效肖特基势垒高度
机译:Gaas上新的al-Ni-Ge触点:结构和电性能。