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Impact of crystalline structure on electrical property of NiGe/Ge contact

机译:晶体结构对NiGe / Ge接触电性能的影响

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摘要

We can control the crystalline structure of NiGe layer on Ge(110) by controlling the deposition method, surface cleaning, and annealing temperature. We also investigated the impact of the interface crystalline structures on the electrical properties of NiGe/Ge(110) contacts. We found that thermal cleaning of Ge surface improves on the interfacial structure of the epitaxial NiGe/Ge(110) contact, that leads to lowering SBH.
机译:我们可以通过控制沉积方法,表面清洁和退火温度来控制Ge(110)上NiGe层的晶体结构。我们还研究了界面晶体结构对NiGe / Ge(110)触点电性能的影响。我们发现,Ge表面的热清洗可改善外延NiGe / Ge(110)接触点的界面结构,从而降低SBH。

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