机译:直径为6英寸的Si衬底金属-有机气相外延系统上的高生长速率AlGaN缓冲层和用于AlGaN / GaN HEMT的低碳GaN的大气压生长
机译:利用rf-MBE在超级SiC衬底上使用超晶格准AlGaN合金势垒生长GaN-HEMT结构
机译:基于MOCVD的基于Si(111)衬底的AlGaN / GaN HEMT的生长和制备
机译:AlGaN / GaN HEMT在SiC衬底上的生长和制造
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:基于MOCVD的基于Si(111)衬底的AlGaN / GaN HEMT的生长和制备