Micro Fabrication Cleanroom, School of Microelectronic Engineering, Northern Malaysia University College of Engineering, 02000 Kuala Perlis, Perlis;
electron beam lithography; nanowire; scanning electron microscope; PMMA; ma-N 2405 resist;
机译:ZEP-520作为高分辨率正负电子束光刻技术的开发工艺研究
机译:使用PMMA作为正负抗蚀剂的超低压电子束光刻制造的纳米结构的密度倍增
机译:使用三亚苯基衍生物作为负/正色调抗蚀剂的10 nm规模电子束光刻
机译:使用基于SEM的电子束光刻(EBL)技术形成单电子晶体管的纳米线:正电势与负电势电子束电阻
机译:聚合物抗蚀剂的电子束感应电导率效应和电子束光刻中的电荷感应电子束偏转模拟。
机译:聚苯乙烯负性抗蚀剂用于高分辨率电子束光刻
机译:CsaR 62作为高对比度电子束光刻的负色调抗蚀剂 温度在4 K和室温之间