机译:使用具有非对称Au栅极的InGaP / InGaAs / GaAs异质结构MESFET的V波段放大器
机译:使用0.5μm栅长的离子注入GaAs / AlGaAs异质结FET技术的Ka波段单片放大器
机译:具有有源反馈电路技术的3.2V工作单芯片双频AlGaAs / GaAs HBT MMIC功率放大器
机译:适用于GSM / DCS手机的高效单链GaAs MESFET MMIC双频段功率放大器
机译:复合可重新配置的双频带固态功率放大器使用单个GaN HEMT进行S和X波段操作
机译:单粒门 - 全围绕单片三维集成电路的低热预算过程的Si纳米线FET
机译:采用InGap / Gaas HBT技术的全集成并发双频低噪声放大器
机译:具有Gaas栅极势垒的Inalas / InGaas单量子阱mODFET的直流和微波特性