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黄诗浩; 李成; 陈城钊; 郑元宇; 陈松岩; 赖虹凯;
厦门大学;
浙江大学;
张应变; n型掺杂Ge; 量子效率; 光增益;
机译:n〜+掺杂的Ge / GeSi量子阱的拉伸应变和掺杂增强的直接带隙光学跃迁
机译:n + sup>掺杂的Ge / GeSi量子阱的拉伸应变和掺杂增强的直接带隙光学跃迁
机译:诱导Ge的间接-直接带隙跃迁并降低Ge的带隙能的拉伸应变效应
机译:应变Ge微桥在跃迁到直接带隙时的光谱学
机译:纳米层掺杂铝的氧化锌的发光性质
机译:热退火下应变Ge-on-Si中应变的相互作用和混合对直接带隙光学跃迁的影响
机译:硅衬底上拉伸应变的Ge / SiGe量子阱中的量子限制直接带跃迁
机译:Inas / alsb量子阱中掺杂诱导的II型到I型跃迁和带间光学增益
机译:基于I型和II型隧道结组合的带内跃迁的光电器件
机译:架空输电线的张紧方法,用于张紧方法的多导体应变绝缘装置和螺栓型应变夹
机译:通过将金属接触直接施加到p掺杂的内部区域来制造具有肖特基跃迁的半导体芯片的方法
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