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600VPT及NPT型IGBT产品研制

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本文介绍了600 VPT型及NPT型IGBT的产品研制及在相关领域的应用.600 V IGBT的试验测试曲线及数据分析表明:两种方案的IGBT,其击穿电压BVCES都满足大于600 V要求；NPT型IGBT的阈值电压为5V,PT型略小为3.6 V;NPT型IGBT的饱和压降值VCE(sat)与仙童同类产品接近为1.8V,而PT型饱和压降值较小为1.4 V.

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来源
《2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会》|2011年|171-175|共5页
会议地点昆明
作者
钱梦亮; 陈俊标;
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作者单位

中国半导体行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN322.8;
关键词
绝缘栅双极型晶体管; 结构分析; 制造工艺; 产品测试;

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