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Yuantao Zhang; 张源涛; Baolin Zhang; 张宝林; Guotong Du; 杜国同; Takashi Matsuoka; 松岡隆志;
中国电子学会;
氮化铟薄膜; 半导体材料; 加压金属有机化学气相沉积; 晶体质量;
机译:MOCVD生长的InN薄膜的生长温度依赖性
机译:蓝宝石上两步MOCVD生长的InN薄膜中In聚集体的生长温度依赖性
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机译:MOCVD生长InN薄膜的生长机理和性能研究
机译:通过MOCVD生长的高导电性和透明氧化镉薄膜:外延生长和掺杂效应
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机译:MOCVD法沉积TiO2薄膜的生长参数的影响MOCVD法沉积的TiO2薄膜的生长参数的影响
机译:LpE和mOCVD技术生长Gaas和al(x)Ga(1-x)as外延薄膜生长参数的研究
机译:形成通过金属有机汽相外延(MOCVD)生长的氮化铟(InN)和氮化铟镓(InGaN)量子点
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