有关SiGe源及CESL对纳米nMOSFET性能提高的研究

摘要

本文主要研究NMOSFET的性能提高,以SiGe作为纳米nMOS的源,能够有效降低器件的源漏电阻Rsd,进而提升器件性能.本文设计了以SiGe作为源的纳米尺寸nMOSFET,并用TCAD器件仿真软件对其进行仿真,结果表明,SiGe源nMOS的跨导相比于普通Si nMOS的源漏电阻降低了9％,输出特性曲线ID-VD提高了7％,如果以刻蚀阻挡层作为应力源,向沟道中引入应力,器件的性能进一步得到提高.