高方块电阻单晶硅太阳电池扩散及烧结工艺研究

摘要

本文主要探讨通过简单的扩散及烧结工艺制作性能稳定的高方阻太阳电池.为了寻求太阳电池不同技术参数对太阳电池的输出性能的影响,本文运用太阳电池模拟分析软件PC1D对太阳电池部分技术参数进行模拟,发现高表面掺杂浓度低深度扩散的高方阻电池在理论上能够带来很好的效率表现.实际模拟中也发现单晶硅片的电阻率和太阳电池的接触电阻对太阳电池输出性能有很重要的影响.本次研究制作了六批次不同方块电阻的太阳电池,其中一批次运用传统行业中使用的扩散工艺,该批次为参照组.其余五批次通过修改扩散炉不同的扩散参数得到.测试了不同扩散工艺参数环境下太阳电池片的扩散质量以及简要分析了扩散炉对电池片不均匀度的影响.本次研究烧结工艺采用了四组不同的烧结参数,六批不同方阻的太阳电池经过四组不同烧结工艺的烧结,因此本次实验共有二十四组电池片.对烧结完成以后的电池片进行了一系列的参数测量,包括电池的I-V特性曲线,填充因子,效率等.还就测试得到的参数进行了详细的分析.