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单晶硅太阳电池扩散薄层电阻和SiNx薄膜对电池短波响应的影响

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摘要

本文分别对不同薄层电阻的扩散片制成的单晶硅太阳电池和同样薄层电阻不同频率沉积的SiNx薄膜的单晶硅太阳电池的光谱响应进行了比较,从理论上分析了随着薄层电阻的增大和采用低频(40kHz)的PECVD沉积SiNx薄膜,短波响应得到提高的原因.光谱响应峰值随着薄层电阻的增大逐渐向短波方向移动.当薄层电阻和SiNx薄膜匹配最佳时,电池的光谱响应最好,其光谱响应峰值大幅度向短波方向移动.

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来源
《第九届中国太阳能光伏会议》|2006年|88-93|共6页
会议地点成都
作者
李华维; 张辉; 黄跃文; 季凯春; 张立波; 夏明海; 孙励斌; 徐晓群;
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作者单位

中国可再生能源学会;

四川大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM914.41;
关键词
薄层电阻; 短波响应; SiNx薄膜; 单晶硅; 硅太阳电池;

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