微通道内气体库埃特流动的DSMC模拟

摘要

微通道内气体的库埃特流动是微电子机械系统内比较典型和常见的流动形式，对其流动和传热机理的研究具有重要的科学意义。在不同马赫数和努森数条件下，采用DSMC方法，对库埃特流动进行直接模拟，获得不同条件下的速度、温度和压力分布。结果表明：近壁处速度滑移随着Kn数的增加而增大。在过渡流区，气流速度的增幅受到Kn（努森）层的抑制，且在接近自由分子流区后逐渐分布均匀；通道内温度和压力分布呈现中间高、近壁区域低的趋势，且在流动趋向自由分子流时，通道内温度和压力分布趋向均匀；增加动板平移速度将会导致板间的气体温度和压力随之显著增加。