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王博; 李强; 宣益民;
中国工程热物理学会;
掺杂浓度; 温度分布; 格子Boltzmann 方法; 高电子迁移率晶体管; 内部传热;
机译:掺杂浓度比对基于ICT伪HEMT的MMIC开关电特性的影响
机译:光学表征对InGaAs / InP HEMT结构中掺杂浓度的影响
机译:不同碳掺杂浓度的AlGaN / GaN HEMT的可靠性比较
机译:掺杂浓度对AlGaN / GaN Hemts对硅衬底的影响的影响
机译:温度和热电子对HEMT的影响及其对大信号响应衰减的影响的测量和建模。
机译:氮掺杂单壁碳纳米管的非共振极化拉曼光谱计算:直径手性和掺杂浓度的影响。
机译:用纳米晶金刚石散热层分析AlGaN / GaN HEMT中的温度分布
机译:掺杂浓度对硅上化学气相沉积钨中隧道形成的影响。
机译:光伏太阳能电池具有基底和背表面场(BSF)结构,其掺杂浓度大于基底的掺杂浓度
机译:电子设备,包括掺杂区的掺杂浓度高于通道区域的掺杂浓度的电子设备及其制造方法
机译:可调谐和非可调谐的隔热罩以影响基板支架的温度分布型材
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