顶栅自对准a-IZO薄膜晶体管制备工艺研究

摘要

本文研究了一种顶栅自对准a-IZO薄膜晶体管(TFT)的制备工艺.a-IZO沟道层经过氧等离子体处理后,器件呈现良好的开关特性.使用N2等离子体处理形成自对准源/漏区,有效抑制了寄生电容的引入.采用该工艺所制备a-IZO TFT器件特性优异,迁移率μ=14.57cm2/V·s,亚阈斜率SS=0.18mV/dec,电流开关比在109量级.同时,a-IZO TFT器件在正栅压偏置应力(PBS)和负栅压偏置应力(NBS)下均有较高稳定性,在栅极为+20V和-20V的应力下,应力时间3600S后阈值电压漂移量分别小于-0.25V和-0.1V.