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YANG Ming; 杨铭; JI Qi-zheng; 季启政; GAO Zhi-liang; 高志良; YUAN Ya-fei; 袁亚飞; SONG Bo; 宋博; MEI Gao-feng; 梅高峰; ZHAI Dong-wei; 翟东伟;
中国标准化研究院;
中国空间技术研究院;
异质结场效应晶体管; 附加极化电荷; 静电场;
机译:通过研究漂移输运特性的温度相关性影响研究AlGaN / GaN HFET的高温操作
机译:从电流-电压和电容-电压特性中提取AlGaN / GaN异质结构中极化电荷密度的简单方法
机译:GaN缓冲层质量对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管DC特性的影响研究
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:Algan / GaN高电子移动晶体管的SIN X和ALN钝化的研究:界面陷阱和极化电荷的作用
机译:用于GaN,GaN / alGaN和GaN / InGaN核壳纳米线中少数载流子扩散的无接触测量的传输成像。
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
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