SiC柔性场发射阴极材料制备与精细调控及其电子发射特性

摘要

柔性场发射(FE)阴极材料因其独特的可变形和弯曲特性,在电子织物、分布式传感器、纸上显示器以及微型X射线管等领域,具有潜在的发展前景.本文围绕新颖SiC柔性场发射阴极材料的研发,基于局域场增强效应和调控费米能级附近电子态密度等原理,采用有机前驱体热解工艺,通过控制降温速率和热解气氛两个关键工艺参数,在碳纤维布衬底上实现了SiC单晶低维纳米材料结构和掺杂浓度的精细控制,达到对其场发射性能的协同强化.其开启电场为0.98～1.90V/μm,在不同温度和弯曲状态下的电子发射波动性为7.7％～14.1％,实现了具有良好柔性、低开启电场和高电子发射稳定性的SiC场发射阴极材料的研发.