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Dong Jun; 董俊; Yang Ziqiang; 杨自强; Yang tao; 杨涛; Liu Yu; 刘宇; Xing Dong; 邢东; Zhang Lisen; 张立森;
中国电子学会;
放大器; 电路设计; 高电子迁移率晶体管; 等效电路模型; 拓扑结构;
机译:一种新的非对称AIGAN / GAN HEMT的小信号模型
机译:具有2DHG极化电荷密度漏极电流的2DEG的分析模型和用于微波频率应用的四元AlInGaN HEMT的小信号模型
机译:精确缩放的小信号模型,用于高达50 GHz的叉指功率P-HEMT
机译:使用新颖的电路设计,在InP上制造的高速,单片集成的pin-HEMT光接收器,可调带宽高达22 GHz
机译:用于单片混合模拟/数字电路设计和验证的寄生基板建模。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:用于数字可编程集成连续时间滤波器的数字调谐方案以及用于高精度单片线性电路设计和实现的技术
机译:用于毫米波和亚毫米波电源的先进高电子迁移率晶体管(HEmT)单片毫米波集成电路(mmIC)电路
机译:ALGAN / GAN HEMT小信号模型及其参数提取方法
机译:Algan / GAN HEMT小信号模型的提取方法及其参数
机译:HBT,耗尽型HEMT和增强型HEMT的单片集成的结构和方法
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