新一代宽禁带4H-5iC功率半导体外延材料的产业化进展

摘要

使用10×100mm暖壁行星式外延生长系统进行了4H-SiC大面积多片外延生长,获得了具有良好掺杂与厚度均匀性的高质量4H-SiC外延晶片.测试结果显示,所制得外延晶片X射线衍射谱最高峰的半高宽为26.74”,具有良好的结晶质量；片内厚度均匀性和片间厚度均匀性分别为0.26％和0.5％,片内掺杂均匀性和片间掺杂均匀性分别为2.6％和3.4％；表面粗糙度为0.2nm；表面缺陷密度小于1cm-2.这表明,该10×100mm暖壁行星式外延生长系统可满足4H-SiC外延晶片的产业化需求,将推动SiC功率器件的发展.